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【SNEC专题报道】保利协鑫发布整锭单晶G3 终极铸锭技术重新定义单晶 | PV-Tech每日光伏新闻

【SNEC专题报道】保利协鑫发布整锭单晶G3 终极铸锭技术重新定义单晶

  • 2017年04月21日
  • 作者: Xin Yin

    Xin Yin

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图片来源:保利协鑫

图片来源:保利协鑫

4月19日,保利协鑫在2017 SNEC国际太阳能产业及光伏工程展览会上重磅发布新一代整锭单晶G3硅片产品。据介绍,该产品使用铸锭技术生产单晶,具有“高产能、高效率、低成本、低光衰”等多重优势。来自多家电池组件企业的数据显示,整锭单晶硅片G3在常规电池工艺、PERC高效电池工艺下与直拉单晶的效率差均小于0.5个百分点,同时在成本上有较大优势,对光伏的高效化、平价化发展意义重大,有望给传统单晶技术带来深刻变革。

铸锭全单晶技术取得突破性进展

不同于采用直拉法制备的传统单晶,新产品采用铸锭技术,单次投料量更大,生产成本甚至优于采用“一炉三根”、“一炉四根”的直拉法单晶。同时,由于整锭单晶硅片晶向一致,可使用碱制绒工艺,因此转换效率非常接近直拉单晶产品,并可融合PERC等高效电池技术,带来更高的产品效率。
据介绍,整锭单晶硅片G3基于保利协鑫最新的整锭全单晶技术平台,单晶面积可达99%以上,显著优于“鑫单晶”前代产品和业界同类产品。数据显示,批量生产的整锭单晶硅片G3在常规工艺下的电池转换效率可达19.52%,在PERC电池工艺下可达20.85%,与同样工艺的直拉单晶效率相差不超过0.5个百分点。与同样边长的直拉单晶硅片相比,整锭单晶硅片面积更大,组件封装损失更小。普通电池工艺的G3硅片60片组件功率达到280-285瓦,应用PERC工艺可达295-300瓦。

不仅如此,G3硅片还继承了铸锭技术产品“光衰”较低的优点,与常规多晶持平,显著优于传统直拉单晶。对应用端来说,G3新产品同时实现了“高效率”、“低衰减”的双重目标,实际效率更高。

完美融合多晶和单晶的产品优势

保利协鑫首席技术官万跃鹏表示,整锭单晶硅片G3通过技术提升,将常规多晶的高产能、低光衰和低封装损失,以及传统直拉单晶的高转换效率、低位错密度、匹配高效电池技术等优势融为一体,未来有望成为最具竞争力的高效光伏产品。

一直以来,光伏企业采用铸锭技术生产多晶、采用直拉法生产单晶。但据万跃鹏介绍,无论是铸锭技术还是直拉技术,都可以生产单晶或者多晶。保利协鑫“鑫单晶”创造性地采用铸锭技术路线生产单晶,融合了单晶完美的晶体结构和表面特性、多晶的低成本等优势。而且,铸锭“鑫单晶”硅片更容易扩大尺寸,未来可根据客户定制需求拓展硅片面积并进行标准化生产。数据显示,边长157.75mm的“鑫单晶”硅片较之156mm的常规硅片,有效面积增加5.51%,在单位转换效率不变的情况下,60片组件功率可因此提升6.1瓦。

阿特斯、天合光能、晶澳太阳能、台湾茂迪、晋能科技、通威太阳能等业界领先的光伏企业代表参加了G3新品发布会。茂迪股份董事长兼执行长张秉衡讲话表示,今年由于政策的原因导致单晶产品供应失衡,给业者造成了很大困扰,有大量新建的单晶电池、组件投资却买不到硅片。保利协鑫多年来持续研发整锭单晶硅片产品,为单晶提供了更具竞争力的技术路线,为产业发展做出了实实在在的贡献。晋能科技总经理杨立友表示,整锭单晶产品带来了转换效率的“质”的变化,相信在国内强大的光伏产业链的支撑下,铸锭单晶技术在未来将有很大的发展空间。

保利协鑫总裁朱战军表示,整锭单晶硅片G3是对常规多晶和传统直拉单晶产品的推陈出新,不但完美解决了多晶、单晶长期以来的技术争论,还可以满足客户对效率、价格、品质的多重需求。通过技术进步和产品创新,保利协鑫将不断降本增效,以硅片技术进步为杠杆,撬动电池、组件及整个光伏系统成本的持续下降,为光伏平价上网增加助力。

(责任编辑:Xin Yin)

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