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半导体行业的计算机辅助设计技术及其在太阳能电池制造中的优势

  • 深亚微米平面硅金属氧化物半导体(MOS)晶体管。左图为掺杂原子的原子级“动力学蒙特卡罗”模拟示意图,右图则显示了MOS管内的掺杂分布情况
    深亚微米平面硅金属氧化物半导体(MOS)晶体管。左图为掺杂原子的原子级“动力学蒙特卡罗”模拟示意图,右图则显示了MOS管内的掺杂分布情况

作者 : Nick E.B. Cowern & Chihak Ahn,英国纽卡斯尔泰恩大学电气电子及计算机工程学院

摘要

计算机辅助设计技术(TCAD)在半导体行业的研究、开发和制造中都有广泛的应用。TCAD不仅可以极低的成本评估各种工艺及其竞争技术、引导工艺的开发和向生产转化,并且为工厂在最短的停工时间实现更有效的工艺改进提供了支持。这篇文章回顾了TCAD在半导体行业中的应用,并且通过一些实例阐述了其在光伏行业中的所扮演的推动角色。计算机辅助设计技术是一款用于预测半导体制造器件结构和性能的计算机程序。在TCAD中,“工艺仿真”工具能够仿真一系列的工艺步骤并预测所形成器件的结构,而“器件仿真”工具则能够计算器件在不同边界条件下(例如接触电势/电流)的电气响应以及能量的输入/输出(例如光和热量)。在一般情况下,TCAD仿真工具可对原子或电子传输的连续方程求解。在纳米级别进行应用时,TCAD将采用诸如动力学蒙特卡罗(kinetic Monte Carlo)等方法,以增加计算的准确性并获取有关统计波动的信息。而在原子级别进行应用时,TCAD则会使用第一性原理量子计算法,以确定材料和TCAD模型的基本参数。通过工艺仿真所获得的结构能够被器件仿真工具调用,进而了解工艺波动对器件性能的影响…

(技术编译:谢文旭、张博,校正编辑:蒋荒野,责任编辑:李霄远)

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