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光伏热场龙头切入第三代半导体 下游空间就此打开?

  • 2022年04月11日
  • 作者: 编辑 郑远方

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与天科合达战略合作 金博股份加速拓展第三代半导体领域

与天科合达战略合作 金博股份加速拓展第三代半导体领域

碳基复合材料的应用正逐步从光伏向半导体,甚至是第三代半导体迈进。

日前,金博股份宣布,与天科合达达成战略合作,合作期五年。一方面,双方将共同研发用于第三代半导体的热场材料、保温材料与粉体材料;另一方面,金博将以优于市场的价格、优先保供天科合达;天科合达在同等性价比条件下,优先采购金博的热场、保温与粉体材料。

此前,金博股份在半导体领域已通过神工股份、山东有研半导体(有研硅)、海纳半导体等公司认证。而公开资料显示,天科合达主营业务为第三代半导体碳化硅晶片的研究、开发及生产。

本次合作也意味着第三代半导体厂商对碳基复合材料的青睐。

实际上,除了已被大众熟知的光伏热场,碳基复合材料还可应用于半导体热场。

出于降本需求,半导体硅片主流尺寸如今已增至12英寸,目前全球约七成的半导体硅片产能可生产12英寸硅片。不过,大尺寸硅片需要更大投料量的单晶炉,而随着单炉投料量从120kg增至650kg以上,传统石墨热场承重能力难以支撑,业内主流观点认为,后续行业将切换到抗折强度高的碳基复合材料热场。

除去已获金博股份供应的前述几家公司之外,也有多家海外半导体巨头已与东洋碳素、西格里等碳素企业形成长期合作关系。

而如今,以碳化硅为首的第三代半导体兴起,更为碳基复合材料热场填上一层增量空间。前文提及的东洋碳素、西格里均选择逐步退出光伏市场,将重心放在半导体——尤其是碳化硅上。

随着新能源汽车、光伏等下游领域发展渐入佳境,碳化硅器件需求随之见涨,而衬底正是SiC器件的关键环节,占全产业链价值链47%,对产业放量具有决定性作用。

其中,高纯碳化硅粉体是制备碳化硅衬底的关键原材料,其纯度、颗粒度、晶型等性能,对衬底生长质量、电学性能,甚至碳化硅器件质量都有着重要影响。

另外,目前行业内普遍采用物理气相传输法(PVT)生长碳化硅单晶衬底,热场主要采用细结构石墨,随着技术进步和单晶碳化硅尺寸增加,碳碳复合材料有望替代细结构石墨用作PVT热场部件。

总体来说,进口热场及保温材料在衬底成本中占比40%。据东吴证券测算,实现本土化后,保守估计热场占碳化硅整体投资价值的15%。2025年碳化硅热场及保温材料市场空间可达53亿元,分析师认为,市场空间广阔,且技术壁垒高,优先本土化的供应商有望获得高市占率。

(责任编辑:肖蓓)

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