RENA旗下InCellPlate Cu平台可在最高效率等级下大幅节约成本

  • 2015年09月30日
  • 作者: Mark Osborne

    Mark Osborne

    高级新闻编辑,Solar Media Limited 旗下 PV-Tech

    马克•奥斯本在半导体和光伏制造业拥有近二十年的从业经验。作为业内第一批专业网站的负责人之一,马克专注于相关领域的制造业。此外,自2005年以来,马克以半导体编辑的身份主持PV-Tech博客栏目。在其职业生涯中,马克曾多次主持和出席多个业内技术会议及产业相关活动。目前马克担任PV-Tech网站和Photovoltaics International技术刊物的高级新闻编辑一职,负责撰写全球光伏产业的主要发展动态,并继续以其独特的视角及分析力撰写PV-Tech博客栏目(编辑博客)。

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  • 翻译: 蒋荒野
    蒋荒野

    蒋荒野

    高级编译,Solar Media Limited 旗下 PV-Tech China

    蒋荒野在2010年3月留学英国时,以实习生的身份加入Solar Media Ltd,随后在英国总部担任中文编译一职。直至统计日期,她已在PV-Tech中英文平台上发布了至少50万字的翻译内容。蒋荒野曾就读于大连外国语学院和吉林大学,并获得了英语文学学士学位和经济学学士学位;此后还曾在英国威斯敏斯特大学(University of Westminster )取得外交口笔译专业文学硕士学位。随着PV-Tech在中国区影响力的逐步提升,蒋荒野女士将带领翻译团队全力配合驻中国区记者们将具有中国特色的优秀专题报道传递至PV-Tech的姊妹英文媒体平台中,让越来越多的海外读者加深对中国太阳能光伏市场的了解。

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在与氮化硅层激光刻蚀及连续内置退火工艺相结合后,RENA(瑞纳)旗下可在硅基上进行Ni/Cu/Ag 栈直接电镀的集成式设备InCellPlate Cu(链式电镀)平台据称可为太阳能电池生产提供完整的前

在与氮化硅层激光刻蚀及连续内置退火工艺相结合后,RENA(瑞纳)旗下可在硅基上进行Ni/Cu/Ag 栈直接电镀的集成式设备InCellPlate Cu(链式电镀)平台据称可为太阳能电池生产提供完整的前表面镀膜工艺。图片来源:RENA

在与氮化硅层激光刻蚀及连续内置退火工艺相结合后,RENA(瑞纳)旗下可在硅基上进行Ni/Cu/Ag 栈直接电镀的集成式设备InCellPlate Cu(链式电镀)平台据称可为太阳能电池生产提供完整的前表面镀膜工艺。与丝网印刷相比,这一技术能够将太阳能电池生产成本降低6美分,并同时具有改善太阳能电池效率的潜力。

针对问题

传统的前接触丝网印刷是太阳能电池生产流程中最为昂贵的工艺之一,同时也限制了栅线的宽度和发射极方阻,从而限制了电池的总体性能。

解决方案

使用RENA旗下InCellPlate Cu平台在硅层上进行直接镀膜能够替代在电池前表面进行丝网印刷流程。这一工艺还可进一步将大部分银浆替换成较为便宜的铜来作为导电金属,从而将电池生产的单位成本降低6美分。此外,该技术可实现宽度更细的栅线(≤30μm)和风阻更高的发射极(≥120 Ohmsq.),从而在保持较高的填充因子的条件下获得更高的电流与电压。RENA公司已经成功地实现了该技术的应用,在Cz-PERC电池上实现了20.8%的转换率(经ISE Cal-Lab认证)。据公司表示,使用该技术产出的组件已经成功通过IEC61215测试流程三次以上,且焊接线表现除了优异的附着性能(>1N/mm)。

产品应用

本品可应用于太阳能电池的前表面触电形成工艺中。

相关应用

InCellPlate Cu是基于RENA已投放市场的NIAK平台而研发的,吞吐量可达3600w/h。RENA公司所持有的专利技术。RENA旗下的专利技术可实现电池正面的单面镀膜,同时保持背面干燥。这就可以大规模减少电解质废酸洗液和相关的生产成本,避免出现多余的触点镀膜,并免除了电解质接触造成铝浆降解的风险。

上市时间

已上市。

(责任编辑:蒋荒野)

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