重庆邮电大学成功研发第三代半导体氮化镓功率芯片

  • 2020年11月17日
  • 作者: 黄义副教授

    黄义副教授

    黄义副教授,重庆邮电大学实验室

    重庆邮电大学实验室

图片来源:集微网

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近日,重庆邮电大学实验室已成功研发第三代半导体氮化镓功率芯片。

重庆邮电大学光电工程学院副教授黄义透露,这款功率半导体芯片电量能节省10%以上,面积是硅芯片的1/5左右,开关速度提升10倍以上。目前,该项目已经到了试验性应用阶段,未来有望在各种电源节能领域和大数据中心使用。

据了解,第三代半导体功率芯片主要应用在汽车电子、消费电源、数据中心等方面,具备体积小、效率高、用电量少等特点。

值得注意的是,由重庆邮电大学规划的重庆集成电路设计创新孵化中心已入驻西部(重庆)科学城。

据悉,该中心将着力建设重庆市集成电路公共设计、测试分析、半导体工艺等为一体集成电路中试平台,结合重庆市新兴产业需求,提供低成本、高效率的集成电路公共服务与专业技术支持;孵化一批人工智能芯片、公共安全专用芯片、化合物半导体芯片等方向的高端科技成果及高科技企业。

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