近日,《自然-通讯》(Nature Communications)杂志于同一天在线发表了上海交通大学化学化工学院刘烽研究员团队的两项有机光伏领域的最新研究进展。
二维结构范德华半导体InSe在单晶块体形态下具有超常规的塑性和巨大的变形能力,既具有传统无机非金属半导体的优异物理性能,又可像金属一样进行塑性变形和机械加工,在柔性和可变形热电能量转换、光电传感等领域有广阔的应用前景。
半导体异质结精准制备是半导体器件的起点,是现代电子学和光电子学的重要基石。卤化物钙钛矿材料作为一类近年来引起广泛关注的新兴半导体,在太阳能电池、发光二极管、激光等领域展示出巨大的应用前景。
由台湾积体电路制造股份有限公司(台积电)与新竹交通大学合作组成的研究团队17日在台北宣布,在共同进行单原子层氮化硼的合成技术上取得重大突破,成功开发出大面积晶圆尺寸的单晶氮化硼成长技术。该成果将于今年3月在国际知名学术期刊《自然》发表。
近日,北京理工大学化学与化工学院教授孙建科与韩国基础科学研究院合作,以《聚电解质溶液剪切流场促进晶体生长》为题,将其“剪切促进晶体生长”研究成果发表于《自然》杂志上。该研究提出了利用剪切驱动的封闭系统恒温结晶方法,为简单、高效合成高质量的单晶提供了新思路。
异质结技术是目前硅光伏行业积极讨论的热门话题。Hevel最近成为首批采用其旧的微晶组件生产线用于生产高效硅异质结(SHJ)太阳能电池和组件的公司之一。根据Hevel自身的经验,本文将介绍从硅片制绒到最终组件封装的所有生产步骤。
本文报道了Fraunhofer ISE基于钝化发射极和背局域接触电池(PERC)技术制造的叠瓦太阳能电池的最新研究进展。采用的制造工艺是在硅片(基于Czochralski工艺生长的6英寸硅片)金属化和接触烧结后将它们分离成双面p型叠瓦钝化边界、钝化发射极和背面(pSPEER)太阳能电池。
本文报道了Fraunhofer ISE基于钝化发射极和背局域接触电池(PERC)技术制造的叠瓦太阳能电池的最新研究进展。采用的制造工艺是在硅片(基于Czochralski工艺生长的6英寸硅片)金属化和接触烧结后将它们分离成双面p型叠瓦钝化边界、钝化发射极和背面(pSPEER)太阳能电池。
近年来的技术进步和工业制造工艺优化使得硅异质结成为最具吸引力的光伏技术之一,这要得益于其固有的双面特性,提供了最高水平的双面增益。来自CEA-INES和Eternalsun Spire的研究人员探究了实际户外条件下双面异质结组件的性能稳定性和特性参数,并与本行业最广泛使用的技术—PERC组件进行比较。